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一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法

2014年

应用技术

初期阶段

成果简介

本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法。该垂直围栅MOSFET器件，包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的圆柱形的沟道区，沟道区的圆柱形外设置有截面为槽形的环状的介质层，所述槽形开口向上，所述介质层的槽内设置有环状的栅导电层，所述介质层的槽外设置有环状的漏导电层，所述介质层的槽外底部与所述半导体衬底接触，所述沟道区上设置有源导电层，其圆柱形上部掺n...

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